日前，北京智芯微电子科技有限公司牵头申报的项目《中高压电力芯片退化失效机理及可靠性提升关键技术研究》及参与申报的项目《高效高密度电源隔离变压器功率收发专用芯片关键技术研究》《大功率高密度无线充电SoC芯片关键技术研究》获批国家自然科学基金区域创新发展联合基金项目。《中高压电力芯片退化失效机理及可靠性提升关键技术研究》项目将开展多物理场下芯片退化机理研究、可靠性模型搭建及协同优化设计方法研究，揭示电磁热多物理场环境量值与芯片电参数退化之间的定量关系。这是智芯公司牵头申报的项目首次获批国家自然科学基金项目。该公司参与申报的两个项目将开展相关技术攻关。
（据中国电力网）
